|
Conference publicationsAbstractsXVII conferenceOn calculation of the electric potential for 2D silicon transistor with a silicon oxide nanochannelАлтайский край, г. Рубцовск, Калинина 18-6 1 pp. (accepted)Основной целью работы является разработка, обоснование и программная реализация новых эффективных вычислительных алгоритмов, нахождения стационарных решений гидродинамических моделей переноса зарядов в полупроводниках, а также вычислении электрического потенциала для 2-D кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния. |
