|
Conference publicationsAbstractsXVII conferenceComputer simulations of dislocation structure evolution in alkali-halide single crystals at high temperaturesV.N.Karazin Kharkov national university, Svobody sq. 4, 61077, Kharkiv Ukraine 1 pp. (accepted)Методом молекулярной динамики промоделированы некоторые процессы, происходящие в дислокационной подсистеме, которые являются ответственными за упрочнение и возврат в ЩГК. С учетом переползания дислокаций получено построение малоугловых дислокационных границ различных конфигураций; развал дислокационных границ, содержащих различные асимметричные участки; прорыв дислокационным ансамблем симметричной малоугловой дислокационной границы. В кристалле существует тот или иной ансамбль краевых дислокаций, который в процессе высокотемпературного отжига под действием внутренних напряжений преобразуется в конфигурации с меньшей внутренней энергией. В виду того что для параллельных винтовых дислокаций не существует положений равновесия, они в рассмотрении не присутствуют. Такая модель может быть использована, когда радиус кривизны дислокационной линии существенно превышает среднее расстояние между дислокациями. Тогда дислокации можно считать в основном прямолинейными, а полный дислокационный ансамбль при исследовании его эволюции можно разбить на подансамбли, каждый их которых также является системой параллельных дислокационных линий. Данные компьютерного моделирования позволяют, во-первых, наблюдать в динамике эволюцию дислокационной подсистемы с учетом переползания, во вторых, отслеживать возможные устойчивые конфигурации дислокационных ансамблей, что может давать представления о возможных дислокационных реакциях, в третьих, сопоставляя конфигурации дислокационных ансамблей, наблюдаемые экспериментально (методом избирательного травления) с полученными моделированием, можно определить направление вектора Бюргерса у дислокаций, расположенных в устойчивых положениях. |
