English
!

Архив публикаций

Тезисы

XIII-ая конференция

Моделирование тепловых процессов при прохождении тяжелых заряженных частиц высокой энергии через двухслойные материалы

Шарипов З.А.

141980, Московская область, Дубна, ул. Жолио-Кюри 6, Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория информационных технологий, Тел.: (09621) 62547, факс: (09621) 65145, E-mail: zarif@jinr.ru

1  стр.

В последние годы значительные усилия были направлены на создание наноструктур, представляющих собой достаточно тонкое (порядка нескольких микрометров) покрытие, нанесенное на материал подложки[1-2]. Такая структура в ряде случаев позволяет улучшить антикоррозионные, теплофизические и электрофизические свойства, а также повысить износостойкость изделий из двухслойных материалов при сохранении механических свойств, присущих подложке. В ряде работ для увеличения взаимного перемешивания компонент вблизи границы раздела используется облучение тяжелыми ионами высоких энергий с пробегом, заведомо превышающими толщину нанесенного покрытия.

В настоящей работе применена модель термического пика(система нелинейных уравнений) [3] для вычисления температуры решетки и электронов в случае облучаемых двухслойных систем, а именно для мишени из вольфрама, покрытого слоем никеля с толщиной 2 мкм(Ni(2 μm)/W) при облучении ее тяжелыми ионами висмута 209Bi с энергией 710 МэВ. Система уравнений решена явной разностной схемой вычислений и методом переменных направлений. Обсуждается возможность параллельной реализации этих методов. Представлены результаты численного исследования температур электронного газа и кристаллической решетки с требуемой точностью. Установлено, что температура мишени в обоих слоях превышает температуру плавления материала, а температура первого слоя превышает температуру испарения. На основе полученных результатов можно выделить характерные размеры областей, где температура мишени превышает температуру плавления и испарения и в этих областях взаимное перемешивание компонент двух материалов могут происходит интенсивнее.

© 2004 Дизайн Лицея Информационных технологий №1533