|
Архив публикацийТезисыXIX-ая конференцияМатематическое исследование "аномальных" (негауссовских) режимов задачи ИЭФ: физический смысл346 720, Россия, г.Аксай Ростовской области, ул. Горького, 9,Тел. 8 -918 -513-50-42, E-mail: L_Sakharova@mail.ru 1 стр. (принято к публикации)МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ «АНОМАЛЬНЫХ» (НЕГАУССОВСКИХ) РЕЖИМОВ ЗАДАЧИ ИЭФ: ФИЗИЧЕСКИЙ СМЫСЛ
Сахарова Л.В.
Филиал ФГОУ ВПО «Морская Государственная Академия имени адмирала Ф.Ф.Ушакова» в г. Ростове-на-Дону Кафедра общенаучных дисциплин Россия , 344006, г. Ростов-на-Дону, ул. Седова, 8, корпус 3, Тел/ факс: (863) 2633-571 E-mail: L_Sakharova@mail.ru
Исследована асимптотическими методами задача математического моделирования изоэлектрического фокусирования (ИЭФ) амфолитов в равновесных градиентах pH. Рассмотрение проводилось в условиях так называемых «аномальных» режимов, характеризующихся разрушением стандартного гауссовского распределения и трансформацией его в «платообразное». Визуально эффект выглядит следующим образом: по мере увеличения амфолиты в электрофоретической камере (ЭК) расслаиваются; соответствующие им гауссовские кривые сжимаются по оси абсцисс и растягиваются по оси ординат (т.е увеличивается их среднеквадратическое отклонение). В момент выхода в «аномальный» режим гауссовская кривая как бы «упирается» максимумом в некий графический «потолок», деформирующий ее по мере дальнейшего растяжения. В итоге, при сверхвысоких плотностях тока, профили деформируются до состояния прямоугольников. Чем обусловлены физически (и математически) «аномальные» режимы? Автором построены два асимптотических решения соответствующей интегро-дифференциальной задачи для неизвестных функций аналитических концентраций амфолитов и концентрации ионов водорода . Первая асимптотика– методом касательных – показала, что графическим «потолком» системы профилей амфолитов с является усредненное по ЭК значение исходной концентрации смеси, а для вводится малая поправка на параметры системы ИЭФ. На основании второй, сингулярной асимптотики сделан вывод: в «аномальном режиме» распределение двух соседних амфолитов на отрезке между их изоэлектрическими точками зависит лишь от разности их собственных степеней диссоциации.
|
