English
!

Архив публикаций

Тезисы

XXI-ая конференция

Моделирование ударного взаимодействия кластеров с поверхностью в процессе имплантации в твердые тонкие пленки

Батгэрэл Б., Никонов Э.Г., Пузынин И.В.

Лаборатория информационных технологий, Объединенный институт ядерных исследований, 141980 г.Дубна Московской области, РФ

1  стр. (принято к публикации)

Главной целью исследований в данной работе является изучение при помощи компьютерного моделирования процессов имплантации кластеров в тонкие металлические пленки, начиная от процессов сухого травления до образования пористой поверхности. Компьютерное моделирование ударного взаимодействия кластеров с поверхностью проводилось методами молекулярной динамики. Хорошо известно, что облучение различных материалов нанокластерами высоких энергий вслед за травлением является одним из способов формирования нанопористых мембран [2,3]. В наших предыдущих статьях и других очень интересных работах (см. список литературы в [2]) показано, что не только при помощи изменения кинетической энергии кластеров, но и при помощи также изменения числа атомов в кластерах, можно обеспечить возможность управления режимом взаимодействия кластеров с поверхностью от налипания до имплантации. Поэтому целью нашей настоящей работы является исследование зависимости характеристик геометрической конфигурации углублений и пор, сформированных в результате соударения кластера с тонкой металлической пленкой, от энергии кластеров в пучке, числа соударений кластеров в пучке, значения угла соударения кластера с поверхностью и частоты импульсного источника нанокластеров. Результаты проведенных исследований могут представлять интерес в различных областях экспериментальной физики и технологиях разработки наноматериалов с новыми физическими свойствами.

Список литературы

[1] S. Davis, C. Loyola, F. Gonzalez, J. Peralta, J.Comp. Phys. Comm. 181(2010) 2126-2139.

[2] V.N. Popok, I. Barke, E.E.B. Campbell, K.-H.M.-Broer, Surface Science Reports 66 (2011) 347–377.

[3] Z. Zhao, D. Qi, Z. Guo, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 217 (2004) 621.



© 2004 Дизайн Лицея Информационных технологий №1533