English
!

Архив публикаций

Тезисы

XXV-ая конференция

Структурно-функциональная специализация апикального сегмента растущей гифы Neurospora crassa

Потапова Т.В.

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова НИИ физико-химической биологии имени А.Н. Белозерского, Ленинские горы 1, стр. 49, Москва 119991, Россия

1  стр. (принято к публикации)

Гифы N.crassa осваивают внешнюю среду путем верхушечного роста (ВР): векторного удлинения со скоростью 20 — 30 мкм/мин и образования ветвей, которые также удлиняются и ветвятся [1]. Гифа состоит из сегментов диаметром 10 - 20 мкм и длиной 50 - 100 мкм, содержащих по 20 - 30 ядер диаметром 2 - 3 мкм, асинхронно делящихся каждые 80 — 90 мин. Ключевые события ВР разыгрываются на верхушке гифы благодаря особому устройству апикального сегмента. На этом участке непрерывно формируются de novo такие структуры, как плазматическая мембрана (ПМ) и клеточная стенка, при непосредственном участии эндоплазматического ретикулума, аппарата Гольджи, актинового цитоскелета, микротрубочек и митохондрий. В апикальном сегменте растущей гифы все эти стуктуры расположены в строгом порядке, который возникает de novo при развитии проростка конидии или новой боковой ветви, а затем постоянно поддерживается на верхушке растущей гифы. Мы показали [2], что при ВР изолированных от мицелия передних концов гиф N.crassa уменьшаются их скорость удлинения и диаметр, тормозится боковое ветвление, но не меняется длина сегментов: гифального (50 — 100 мкм) и апикального (150 — 300 мкм). Молекулярно-генетические детали септирования хорошо описаны [3], но их совокупность сама по себе не позволяет понять, какие силы и поля определяют длину гифального сегмента и удерживают 1-ю септу на расстоянии 150 — 300 мкм от верхушки гифы. Также пока не понятны механизмы контроля за ВР N.crassa со стороны ядер [4]. Неотъемлемая деталь особого устройства апикального сегмента — отсутствие на расстоянии ~ 100 мкм от верхушки основных генераторов разности потенциалов через ПМ N.crassa - Н+АТФаз [5]. По этой причине в апикальном сегменте существует значительное электрическое поле (~ 100 V/м) и протекает электрический ток, сравнимый по величине с током, который создают Н+АТФазы ПМ [6]. Мы предполагаем [2], что электрическая гетерогенность является важным фактором, определяющим структурно-функциональную специализацию апикального сегмента растущей гифы N.crassa.

Литература

1. Потапова Т.В. 2014. Биохимия 79 (7): 753-769.

2. Potapova T.V. et al., 2016. Cell Tiss Biol. 10 (6): 486 – 499.

3. Delgado-Álvarez D.L. et al. 2014. PLOS One. 9 (5): e96744.

4. Etxebeste O., Espeso E.A. 2016. FEMS Microbiology Reviews, fuw021, 40: 610-624.

5. Fajardo-Somera R.A. et al. 2013. Eukaryotic Cell. 12 (8) : 1097—1105.

6. Potapova T.V. et al. 1988. FEBS Lett. 241: 173-176.



© 2004 Дизайн Лицея Информационных технологий №1533